第3のメモリ技術を中国人科学者が開発

2018年 4月12日

 世界の半導体電荷蓄積技術において、「書き込み速度」と「不揮発性」という2つの性能は、兼ね備えることがなかなか難しい。復旦大学マイクロ電子学院が発表した情報によると、同校教授の張衛氏と周鵬氏が率いるチームはこのほど、画期的な二次元半導体準不揮発性メモリを作り上げ、第3のメモリ技術を開発した。「内部メモリ級」のデータ読み込み・書き込み速度を実現し、さらに需要に応じてメモリのデータ保存期間を設定できる。科技日報が伝えた。
張氏によると、半導体電荷蓄積技術には現在、主に次の2種類があるとしている。1種目はコンピュータの内部メモリなどの揮発性メモリで、データ書き込みには数ナノ秒しか必要ないが、電源を切ると直ちに失われる。2種目はUSBメモリなどの不揮発性メモリで、データ書き込みには数ナノ秒から数十ナノ秒かかるが、外部からのエネルギーを必要とすることなく10年間ほどは保存できる。
 今回開発された第3の電荷蓄積技術の書き込み速度は現在のUSBメモリの1万倍で、データ上書きに必要な時間は内部メモリ技術の156倍。さらにデータの保存期間を10秒から10年の間で設定できるという画期的な性能を備えている。この新性能により、高速内部メモリのデータ保存に伴うエネルギー消費量を大幅に削減すると同時に、データに有効期限を設定し自然消滅させることができる。特殊な応用シーンにおける機密と伝送の矛盾を解消する。


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